制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911035326.7

申请日：

2019-10-29

公开(公告)号：

CN111128737A

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特张景舜余典卫蔡家铭陈明德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2949 H01L218238 H01L27092

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20191029
2020-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吕俊颉 ;

让-皮埃尔·科林格 ;

后藤贤一 ;

吴志强 ;

林佑明 .

中国专利 :CN109103084B ,2018-12-28

[2]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

陈建颖 ;

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN112447713B ,2025-02-28

[3]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

张世杰 ;

李承翰 ;

李佩珊 .

中国专利 :CN113690141B ,2024-03-22

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

杜文仙 ;

李暐凡 .

中国专利 :CN112242434A ,2021-01-19

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

杜文仙 ;

李暐凡 .

中国专利 :CN112242434B ,2024-12-24

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B·摩尔 .

中国专利 :CN113782431A ,2021-12-10

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吴云骥 ;

曾郁雯 .

中国专利 :CN109103197A ,2018-12-28

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

陈建颖 ;

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN112447713A ,2021-03-05

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沈晏廷 ;

游家齐 ;

廖志腾 ;

林侑立 ;

郑志玄 ;

翁子展 .

中国专利 :CN113555317B ,2024-08-23

[10]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沈晏廷 ;

游家齐 ;

廖志腾 ;

林侑立 ;

郑志玄 ;

翁子展 .

中国专利 :CN113555317A ,2021-10-26

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