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制造半导体器件的方法和半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201110173874.3
申请日
:
2011-06-27
公开(公告)号
:
CN102856246B
公开(公告)日
:
2013-01-02
发明(设计)人
:
洪中山
申请人
:
申请人地址
:
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号
:
H01L21768
IPC分类号
:
H01L2348
H01L23532
代理机构
:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
:
陈新
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-02-20
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101395931207 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011101738743 申请日:20110627
2014-10-29
授权
授权
2013-01-02
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件的制造方法
[P].
甲斐徹哉
论文数:
0
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0
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甲斐徹哉
;
笠井良夫
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笠井良夫
;
角田弘昭
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角田弘昭
;
萩原裕之
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萩原裕之
;
小林英行
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小林英行
.
中国专利
:CN1330393A
,2002-01-09
[2]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
山田敦史
论文数:
0
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山田敦史
;
温井健司
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温井健司
.
中国专利
:CN103715084A
,2014-04-09
[3]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
李宜静
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0
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李宜静
;
柯志欣
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柯志欣
;
万幸仁
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万幸仁
.
中国专利
:CN111261522A
,2020-06-09
[4]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
陈建颖
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0
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
陈建颖
;
张哲诚
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
张哲诚
;
林志翰
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林志翰
.
中国专利
:CN112447713B
,2025-02-28
[5]
半导体器件的制造方法和半导体器件
[P].
佐藤浩
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0
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佐藤浩
.
中国专利
:CN101796645B
,2010-08-04
[6]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
余绍铭
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余绍铭
;
李东颖
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李东颖
;
云惟胜
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云惟胜
;
杨富祥
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杨富祥
.
中国专利
:CN109585555B
,2019-04-05
[7]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
A·埃尔哈米·霍拉萨尼
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机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
A·埃尔哈米·霍拉萨尼
;
M·格里斯沃尔德
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0
机构:
半导体元件工业有限责任公司
半导体元件工业有限责任公司
M·格里斯沃尔德
.
美国专利
:CN117594641A
,2024-02-23
[8]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
T·施勒塞尔
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T·施勒塞尔
;
A·梅瑟
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A·梅瑟
.
中国专利
:CN105470140B
,2016-04-06
[9]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
陈建颖
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陈建颖
;
张哲诚
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张哲诚
;
林志翰
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林志翰
.
中国专利
:CN112447713A
,2021-03-05
[10]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
沙哈吉·B·摩尔
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沙哈吉·B·摩尔
;
钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特
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钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特
;
余典卫
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余典卫
;
蔡家铭
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蔡家铭
.
中国专利
:CN113314530A
,2021-08-27
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