制造半导体器件的方法和半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110173874.3
申请日
2011-06-27
公开(公告)号
CN102856246B
公开(公告)日
2013-01-02
发明(设计)人
洪中山
申请人
申请人地址
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L2348 H01L23532
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
陈新
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
甲斐徹哉 ;
笠井良夫 ;
角田弘昭 ;
萩原裕之 ;
小林英行 .
中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09
[2]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
山田敦史 ;
温井健司 .
中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09
[3]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
李宜静 ;
柯志欣 ;
万幸仁 .
中国专利 :CN111261522A ,2020-06-09
[4]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
陈建颖 ;
张哲诚 ;
林志翰 .
中国专利 :CN112447713B ,2025-02-28
[5]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
佐藤浩 .
中国专利 :CN101796645B ,2010-08-04
[6]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
余绍铭 ;
李东颖 ;
云惟胜 ;
杨富祥 .
中国专利 :CN109585555B ,2019-04-05
[7]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
A·埃尔哈米·霍拉萨尼 ;
M·格里斯沃尔德 .
美国专利 :CN117594641A ,2024-02-23
[8]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
T·施勒塞尔 ;
A·梅瑟 .
中国专利 :CN105470140B ,2016-04-06
[9]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
陈建颖 ;
张哲诚 ;
林志翰 .
中国专利 :CN112447713A ,2021-03-05
[10]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ;
余典卫 ;
蔡家铭 .
中国专利 :CN113314530A ,2021-08-27