半导体器件和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01121865.7

申请日：

2001-06-29

公开(公告)号：

CN1330393A

公开(公告)日：

2002-01-09

发明(设计)人：

甲斐徹哉笠井良夫角田弘昭萩原裕之小林英行

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21285

IPC分类号：

H01L21314 H01L21324 H01L218239

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-08-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2002-01-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

仙石直久 ;

松元道一 .

中国专利 :CN1316559C ,2004-08-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

小泽良夫 ;

田中正幸 ;

宫野清孝 ;

斋田繁彦 .

中国专利 :CN1211864C ,2003-07-23

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

森门六月生 .

中国专利 :CN101132010A ,2008-02-27

[4]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[5]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[6]

用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

古谷晃 .

中国专利 :CN100481383C ,2007-02-14

[7]

制造半导体器件的方法 [P].

青木秀充 .

中国专利 :CN1253376A ,2000-05-17

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

丰田善昭 ;

大江崇智 .

中国专利 :CN103548132B ,2014-01-29

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

立山克郎 .

中国专利 :CN107785431A ,2018-03-09

[10]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

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