半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710146589.6

申请日：

2007-08-22

公开(公告)号：

CN101132010A

公开(公告)日：

2008-02-27

发明(设计)人：

森门六月生

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L23522 H01L2184 H01L21768

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥;杨晓光

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-27	公开	公开
2009-11-25	授权	授权
2008-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-10-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20070822 授权公告日:20091125 终止日期:20160822

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

小泽良夫 ;

田中正幸 ;

宫野清孝 ;

斋田繁彦 .

中国专利 :CN1211864C ,2003-07-23

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

内村胜大 ;

神永道台 .

中国专利 :CN105322021A ,2016-02-10

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

饭田健 .

中国专利 :CN101359689A ,2009-02-04

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN1819267A ,2006-08-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

小山润 ;

大力浩二 ;

冈崎奖 ;

守屋芳隆 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN100573881C ,2006-09-13

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

细谷邦雄 .

中国专利 :CN1992294A ,2007-07-04

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

平田宏治 ;

田上知纪 ;

增田宏 ;

内山博幸 ;

望月和浩 .

中国专利 :CN1091952C ,1998-05-13

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

时田裕文 .

中国专利 :CN102822959A ,2012-12-12

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口阳平 .

日本专利 :CN115004341B ,2025-09-09

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