半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202080094083.9
申请日
2020-12-07
公开(公告)号
CN115004341B
公开(公告)日
2025-09-09
发明(设计)人
山口阳平
申请人
株式会社迈格诺皓特
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H10D30/01
IPC分类号
H10D30/67 H10D84/01 H10D84/03 H10D84/83 H01L21/306 H01L21/308
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
牛蔚然
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山口阳平 .
中国专利 :CN115004341A ,2022-09-02
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
森门六月生 .
中国专利 :CN101132010A ,2008-02-27
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN105428418A ,2016-03-23
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN101335276A ,2008-12-31
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN101335275A ,2008-12-31
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN101335212A ,2008-12-31
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
外园明 .
中国专利 :CN1819267A ,2006-08-16
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN101552210A ,2009-10-07
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN103560085A ,2014-02-05
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN1941299A ,2007-04-04