半导体器件及其制造方法

被引:0
申请号
CN202080094083.9
申请日
2020-12-07
公开(公告)号
CN115004341A
公开(公告)日
2022-09-02
发明(设计)人
山口阳平
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L29786 H01L21306 H01L21308 H01L218234 H01L27088
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
牛蔚然
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山口阳平 .
日本专利 :CN115004341B ,2025-09-09
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
森门六月生 .
中国专利 :CN101132010A ,2008-02-27
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN105428418A ,2016-03-23
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN101335276A ,2008-12-31
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN101335275A ,2008-12-31
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN101335212A ,2008-12-31
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
外园明 .
中国专利 :CN1819267A ,2006-08-16
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN101552210A ,2009-10-07
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN103560085A ,2014-02-05
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋元健吾 ;
本田达也 ;
曾根宽人 .
中国专利 :CN1941299A ,2007-04-04