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半导体器件及其制造方法
被引:0
申请号
:
CN202080094083.9
申请日
:
2020-12-07
公开(公告)号
:
CN115004341A
公开(公告)日
:
2022-09-02
发明(设计)人
:
山口阳平
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L29786
H01L21306
H01L21308
H01L218234
H01L27088
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
牛蔚然
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20201207
2022-09-02
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法
[P].
山口阳平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社迈格诺皓特
株式会社迈格诺皓特
山口阳平
.
日本专利
:CN115004341B
,2025-09-09
[2]
半导体器件及其制造方法
[P].
森门六月生
论文数:
0
引用数:
0
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0
森门六月生
.
中国专利
:CN101132010A
,2008-02-27
[3]
半导体器件及其制造方法
[P].
秋元健吾
论文数:
0
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0
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0
秋元健吾
;
本田达也
论文数:
0
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0
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0
本田达也
;
曾根宽人
论文数:
0
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0
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0
曾根宽人
.
中国专利
:CN105428418A
,2016-03-23
[4]
半导体器件及其制造方法
[P].
秋元健吾
论文数:
0
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0
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秋元健吾
;
本田达也
论文数:
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本田达也
;
曾根宽人
论文数:
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0
曾根宽人
.
中国专利
:CN101335276A
,2008-12-31
[5]
半导体器件及其制造方法
[P].
秋元健吾
论文数:
0
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0
秋元健吾
;
本田达也
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本田达也
;
曾根宽人
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曾根宽人
.
中国专利
:CN101335275A
,2008-12-31
[6]
半导体器件及其制造方法
[P].
秋元健吾
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秋元健吾
;
本田达也
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本田达也
;
曾根宽人
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曾根宽人
.
中国专利
:CN101335212A
,2008-12-31
[7]
半导体器件及其制造方法
[P].
外园明
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外园明
.
中国专利
:CN1819267A
,2006-08-16
[8]
半导体器件及其制造方法
[P].
秋元健吾
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秋元健吾
;
本田达也
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本田达也
;
曾根宽人
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曾根宽人
.
中国专利
:CN101552210A
,2009-10-07
[9]
半导体器件及其制造方法
[P].
秋元健吾
论文数:
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秋元健吾
;
本田达也
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本田达也
;
曾根宽人
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曾根宽人
.
中国专利
:CN103560085A
,2014-02-05
[10]
半导体器件及其制造方法
[P].
秋元健吾
论文数:
0
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0
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秋元健吾
;
本田达也
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本田达也
;
曾根宽人
论文数:
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0
曾根宽人
.
中国专利
:CN1941299A
,2007-04-04
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