用于制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610114963.X

申请日：

2006-08-14

公开(公告)号：

CN100481383C

公开(公告)日：

2007-02-14

发明(设计)人：

古谷晃

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311 H01L23522 H01L23532

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧;陆锦华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-22	授权	授权
2007-02-14	公开	公开
2015-10-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101628409788 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL200610114963X 申请日:20060814 授权公告日:20090422 终止日期:20140814
2010-12-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101056196883 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL200610114963X 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

元田隆 ;

加藤学 .

中国专利 :CN1144396A ,1997-03-05

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1507012A ,2004-06-23

[4]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

V.卡波迪西 ;

M.丁克尔 ;

U.施马尔茨鲍尔 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN103985709B ,2014-08-13

[5]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

增田健良 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN103748688A ,2014-04-23

[6]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A.迈泽尔 ;

M.佩尔茨尔 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN103794649B ,2014-05-14

[7]

用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.巴特尔斯 ;

H.法伊克 ;

C.屈恩 ;

D.奥芬贝格 ;

A.施特尔滕波尔 ;

H.塔迪肯 ;

I.乌利希 .

中国专利 :CN105097665A ,2015-11-25

[8]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

菲利普·德雷克塞尔 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN107104175B ,2017-08-29

[9]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

O.布兰克 ;

F.希尔勒 ;

R.西米尼克 ;

叶俐君 .

中国专利 :CN105390549A ,2016-03-09

[10]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN100448008C ,2006-08-16

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