半导体器件和半导体器件的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200310118288.4
申请日
2003-12-09
公开(公告)号
CN1507012A
公开(公告)日
2004-06-23
发明(设计)人
斋藤友博
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L2130 H01L213205
代理机构
北京市中咨律师事务所
代理人
段承恩;陈海红
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
伊藤贵之 .
中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02
[2]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
天羽生淳 .
日本专利 :CN110246845B ,2024-06-21
[3]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
山川真弥 .
中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23
[4]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
松野光一 ;
盐泽顺一 .
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[5]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
成田雅贵 ;
佐藤兴一 ;
大岩德久 .
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[6]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
斋藤友博 .
中国专利 :CN1499646A ,2004-05-26
[7]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
天羽生淳 .
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[8]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
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[9]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
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[10]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
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