半导体器件和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310103006.3

申请日：

2003-10-28

公开(公告)号：

CN1499646A

公开(公告)日：

2004-05-26

发明(设计)人：

斋藤友博

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

陈海红;段承恩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-11	授权	授权
2004-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101029353237 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2003101030063 申请日:20031028 授权公告日:20070711 终止日期:20091130
2004-05-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

伊藤贵之 .

中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02

[4]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

矶部敦生 ;

村上智史 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1855399A ,2006-11-01

[6]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN100448008C ,2006-08-16

[7]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

谷口泰弘 ;

志波和佳 .

中国专利 :CN101030556B ,2007-09-05

[9]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

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