半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680044083.8

申请日：

2006-11-17

公开(公告)号：

CN101317257A

公开(公告)日：

2008-12-03

发明(设计)人：

木岛公一朗

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

G02B6122 G02B613 H01L2102 H01L2708 H01L2712 H01L2715

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

肖善强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-03	公开	公开
2009-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-10-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[2]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[3]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[4]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

中国专利 :CN113471144A ,2021-10-01

[5]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

日本专利 :CN113471144B ,2025-06-13

[6]

半导体器件和半导体衬底 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山中伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1210809C ,2002-05-15

[7]

半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件 [P].

竹中正浩 .

中国专利 :CN1259694C ,2004-04-07

[8]

半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法 [P].

藤井滋 ;

有坂义一 ;

居鹤仁 ;

田代一宏 ;

丸山茂幸 .

中国专利 :CN1773679A ,2006-05-17

[9]

SOI衬底及其制造方法和半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101669193B ,2010-03-10

[10]

半导体衬底和半导体器件及其制造方法 [P].

金田充 ;

高桥英树 .

中国专利 :CN100423285C ,2004-05-05

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