半导体器件和半导体衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00806903.4

申请日：

2000-03-28

公开(公告)号：

CN1210809C

公开(公告)日：

2002-05-15

发明(设计)人：

杉井信之中川清和山中伸也宫尾正信

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜日新

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-11-16	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101207117882 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL008069034 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川
2005-07-13	授权	授权
2008-01-16	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更后权利人:株式会社瑞萨科技变更前权利人:株式会社日立制作所变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京登记生效日:20071207
2011-11-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101207117881 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL008069034 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20110923
2017-05-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101719359098 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL008069034 申请日:20000328 授权公告日:20050713 终止日期:20160328
2002-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件 [P].

竹中正浩 .

中国专利 :CN1259694C ,2004-04-07

[2]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[3]

半导体衬底以及半导体器件 [P].

曲志浩 ;

谢可勋 .

中国专利 :CN118231452A ,2024-06-21

[4]

半导体衬底装置、半导体器件及半导体衬底的加工方法 [P].

W·朗海因里希 ;

C·布克塔尔 ;

A·格拉茨 ;

N·哈措波洛斯 ;

K·科诺布罗施 ;

M·勒里希 ;

K·施塔伦贝格 ;

R·施特伦兹 ;

G·滕佩尔 .

中国专利 :CN105810721A ,2016-07-27

[5]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[6]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[7]

半导体衬底、外延片和半导体器件 [P].

丁涛 ;

王朋 ;

段焕涛 .

中国专利 :CN120749001A ,2025-10-03

[8]

半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法 [P].

藤井滋 ;

有坂义一 ;

居鹤仁 ;

田代一宏 ;

丸山茂幸 .

中国专利 :CN1773679A ,2006-05-17

[9]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[10]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

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