半导体衬底、外延片和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410387094.6

申请日：

2024-03-30

公开(公告)号：

CN120749001A

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

丁涛王朋段焕涛

申请人：

华为技术有限公司

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

C30B25/18 C30B25/20 C30B29/36 C30B29/40

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

张月婷

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体衬底 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山中伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1210809C ,2002-05-15

[2]

衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN102324435A ,2012-01-18

[3]

衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN202332857U ,2012-07-11

[4]

外延片衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 .

中国专利 :CN102412271A ,2012-04-11

[5]

半导体的外延片及半导体器件 [P].

林大野 ;

蔡钦铭 ;

王治中 .

中国专利 :CN214336705U ,2021-10-01

[6]

半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件 [P].

竹中正浩 .

中国专利 :CN1259694C ,2004-04-07

[7]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[8]

外延片用衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN102376752A ,2012-03-14

[9]

外延片用衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN202282351U ,2012-06-20

[10]

新型衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN102332465A ,2012-01-25

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