半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911266693.8

申请日：

2019-12-11

公开(公告)号：

CN112951897A

公开(公告)日：

2021-06-11

发明(设计)人：

陈峰

申请人：

申请人地址：

214500 江苏省泰州市靖江市马桥镇马桥村陈东埭22号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[2]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[3]

半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件 [P].

竹中正浩 .

中国专利 :CN1259694C ,2004-04-07

[4]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[5]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

中国专利 :CN113471144A ,2021-10-01

[6]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

日本专利 :CN113471144B ,2025-06-13

[7]

半导体衬底及其制造方法、半导体器件 [P].

黄伯宁 ;

万玉喜 ;

王弋宇 .

中国专利 :CN113711335A ,2021-11-26

[8]

半导体衬底及其制造方法、半导体器件 [P].

黄伯宁 ;

万玉喜 ;

王弋宇 .

中国专利 :CN113711335B ,2024-07-23

[9]

半导体衬底装置、半导体器件及半导体衬底的加工方法 [P].

W·朗海因里希 ;

C·布克塔尔 ;

A·格拉茨 ;

N·哈措波洛斯 ;

K·科诺布罗施 ;

M·勒里希 ;

K·施塔伦贝格 ;

R·施特伦兹 ;

G·滕佩尔 .

中国专利 :CN105810721A ,2016-07-27

[10]

半导体衬底以及半导体器件 [P].

曲志浩 ;

谢可勋 .

中国专利 :CN118231452A ,2024-06-21

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