半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610079300.9

申请日：

2006-04-27

公开(公告)号：

CN1855399A

公开(公告)日：

2006-11-01

发明(设计)人：

矶部敦生村上智史山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2184 H01L21768 H01L29786 H01L2712

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

李玲

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20060427 授权公告日:20110706 终止日期:20180427
2011-07-06	授权	授权
2008-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-11-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1499646A ,2004-05-26

[2]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

中国专利 :CN110556293A ,2019-12-10

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[8]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[9]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

佐藤浩 .

中国专利 :CN101796645B ,2010-08-04

[10]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

宫本广信 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

壶井笃司 .

中国专利 :CN108933177A ,2018-12-04

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