用于制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510261574.9

申请日：

2015-05-21

公开(公告)号：

CN105097665A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

M.巴特尔斯 H.法伊克 C.屈恩 D.奥芬贝格 A.施特尔滕波尔 H.塔迪肯 I.乌利希

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23482

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王岳;胡莉莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	公开	公开
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638512905 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2015102615749 申请日:20150521
2019-08-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

C.坎彭 ;

A.迈泽 .

中国专利 :CN103915499A ,2014-07-09

[2]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

V.卡波迪西 ;

M.丁克尔 ;

U.施马尔茨鲍尔 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN103985709B ,2014-08-13

[3]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

增田健良 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN103748688A ,2014-04-23

[4]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A.迈泽尔 ;

M.佩尔茨尔 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN103794649B ,2014-05-14

[5]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

O.布兰克 ;

F.希尔勒 ;

R.西米尼克 ;

叶俐君 .

中国专利 :CN105390549A ,2016-03-09

[6]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN100448008C ,2006-08-16

[7]

用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

古谷晃 .

中国专利 :CN100481383C ,2007-02-14

[8]

用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

P·伊尔西格勒 ;

J·鲍姆加特尔 ;

M·聪德尔 ;

A·毛德 ;

F·希尔勒 ;

R·威斯 .

中国专利 :CN104752492A ,2015-07-01

[9]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

岛昌司 .

中国专利 :CN103208494A ,2013-07-17

[10]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

小川裕之 ;

有吉润一 .

中国专利 :CN104637796A ,2015-05-20

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