半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710731384.8

申请日：

2017-08-23

公开(公告)号：

CN107785431A

公开(公告)日：

2018-03-09

发明(设计)人：

立山克郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2128 H01L213065

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;闫剑平

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-09	公开	公开
2020-03-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20180309

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[2]

制造半导体器件的方法 [P].

青木秀充 .

中国专利 :CN1253376A ,2000-05-17

[3]

制造半导体器件的方法 [P].

金忠培 .

中国专利 :CN101521157A ,2009-09-02

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

小泽良夫 ;

田中正幸 ;

宫野清孝 ;

斋田繁彦 .

中国专利 :CN1211864C ,2003-07-23

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

石川拓 .

中国专利 :CN1202727A ,1998-12-23

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

中村麻树子 .

中国专利 :CN101239699A ,2008-08-13

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

森门六月生 .

中国专利 :CN101132010A ,2008-02-27

[8]

制造半导体器件的方法 [P].

洪雨利 ;

孔德明 ;

陈志壕 ;

陈科维 ;

王英郎 ;

张宏睿 ;

曾鸿輝 .

中国专利 :CN106024617B ,2016-10-12

[9]

制造半导体器件的方法 [P].

林载圻 ;

金钟哲 .

中国专利 :CN1148261A ,1997-04-23

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

江泽弘和 ;

宫田雅弘 .

中国专利 :CN1042777C ,1996-07-10

← 1 2 3 4 5 →