半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN93121366.5

申请日：

1993-12-24

公开(公告)号：

CN1042777C

公开(公告)日：

1996-07-10

发明(设计)人：

江泽弘和宫田雅弘

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L2352 H05K346

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

汪瑜

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1996-06-12	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1996-07-10	公开	公开
2009-02-25	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
1999-03-31	授权	授权

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法 [P].

张荣根 ;

金相德 .

中国专利 :CN100403515C ,2006-10-04

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

小田典明 .

中国专利 :CN1200564A ,1998-12-02

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

孙正焕 .

中国专利 :CN1097304C ,1998-06-03

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[6]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[7]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[9]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

成田雅贵 ;

佐藤兴一 ;

大岩德久 .

中国专利 :CN1278409C ,2004-01-14

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