半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98108918.6

申请日：

1998-05-22

公开(公告)号：

CN1200564A

公开(公告)日：

1998-12-02

发明(设计)人：

小田典明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21302 H01L21306 H01L2131

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

邹光新;王岳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-12-02	公开	公开
2003-05-14	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县川崎市登记生效日:20030321
1998-10-07	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

用于制造半导体器件的方法 [P].

山本贤一 ;

盛一正成 ;

岛根誉 ;

斉藤和美 ;

富盛浩昭 ;

伊藤孝政 ;

牛岛浩斉 ;

立山克郎 .

中国专利 :CN100442473C ,2006-09-27

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

冈田纪雄 .

中国专利 :CN1134835C ,2000-03-15

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

大村光广 ;

片野真希子 ;

伊藤彰子 ;

松下贵哉 ;

金子尚史 .

中国专利 :CN1316594C ,2005-04-13

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

河浪孝二 ;

田渕清隆 .

中国专利 :CN100490118C ,2007-03-07

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

张荣根 ;

金相德 .

中国专利 :CN100403515C ,2006-10-04

[6]

半导体器件制造方法 [P].

大仓嘉之 ;

森俊树 .

中国专利 :CN102290351A ,2011-12-21

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

伊藤贵之 .

中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02

[8]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1507012A ,2004-06-23

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

福井胜一 ;

森本升 ;

西冈康隆 ;

泉谷淳子 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN101661900A ,2010-03-03

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

大芦敏行 ;

新川田裕树 .

中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10

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