用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610068071.0

申请日：

2006-03-24

公开(公告)号：

CN100442473C

公开(公告)日：

2006-09-27

发明(设计)人：

山本贤一盛一正成岛根誉斉藤和美富盛浩昭伊藤孝政牛岛浩斉立山克郎

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

关兆辉;陆锦华

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本东京
2006-09-27	公开	公开
2006-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101056193931 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2006100680710 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川
2008-12-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

小田典明 .

中国专利 :CN1200564A ,1998-12-02

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1507012A ,2004-06-23

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

大村光广 ;

片野真希子 ;

伊藤彰子 ;

松下贵哉 ;

金子尚史 .

中国专利 :CN1316594C ,2005-04-13

[4]

半导体器件制造方法 [P].

大仓嘉之 ;

森俊树 .

中国专利 :CN102290351A ,2011-12-21

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

伊藤贵之 .

中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02

[6]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

洪性兆 ;

姜守昶 ;

杨河龙 ;

徐永浩 .

中国专利 :CN110098124A ,2019-08-06

[7]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN100448008C ,2006-08-16

[8]

用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

古谷晃 .

中国专利 :CN100481383C ,2007-02-14

[9]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

小田典明 .

中国专利 :CN101937902A ,2011-01-05

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

李汉春 .

中国专利 :CN101350329A ,2009-01-21

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