半导体器件和用于制造半导体器件的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010194978.8
申请日
2010-05-31
公开(公告)号
CN101937902A
公开(公告)日
2011-01-05
发明(设计)人
小田典明
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L23528
IPC分类号
H01L21768
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
孙志湧;穆德骏
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
馆下八州志 .
中国专利 :CN101304028A ,2008-11-12
[2]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
富士原明 .
中国专利 :CN101901798B ,2010-12-01
[3]
半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P]. 
金辰寿 ;
林昌文 .
中国专利 :CN101414581A ,2009-04-22
[4]
半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P]. 
裴在俊 .
中国专利 :CN101266942A ,2008-09-17
[5]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
沼田英夫 ;
江泽弘和 ;
田窪知章 ;
高桥健司 ;
青木秀夫 ;
原田享 ;
金子尚史 ;
池上浩 ;
松尾美惠 ;
大村一郎 .
中国专利 :CN1758430A ,2006-04-12
[6]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
上野和良 .
中国专利 :CN100334725C ,2004-02-18
[7]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
伊藤贵之 .
中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02
[8]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
白野贵士 ;
东和幸 ;
渡边慎也 ;
右田达夫 .
中国专利 :CN104425295A ,2015-03-18
[9]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
聂碧颖 ;
储金星 ;
何濠启 ;
史世平 .
中国专利 :CN118692912A ,2024-09-24
[10]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
聂碧颖 ;
储金星 ;
何濠启 ;
史世平 .
中国专利 :CN118692912B ,2025-01-24