半导体器件和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03145349.X

申请日：

2003-07-04

公开(公告)号：

CN100334725C

公开(公告)日：

2004-02-18

发明(设计)人：

上野和良

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L23532

IPC分类号：

H01L21768 H01L213205

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;关兆辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-08-29	授权	授权
2014-08-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586351742 IPC(主分类):H01L 23/532 专利号:ZL03145349X 申请日:20030704 授权公告日:20070829 终止日期:20130704
2004-02-18	公开	公开
2010-12-29	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101058193404 IPC(主分类):H01L 23/532 专利号:ZL03145349X 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川

共 50 条

[1]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

小田典明 .

中国专利 :CN101937902A ,2011-01-05

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

荣森贵尚 ;

三濑信行 .

中国专利 :CN101651120B ,2010-02-17

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

村川浩一 .

中国专利 :CN102315248A ,2012-01-11

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

伊藤贵之 .

中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

厚母敬生 .

中国专利 :CN101916759A ,2010-12-15

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

富士原明 .

中国专利 :CN101901798B ,2010-12-01

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1507012A ,2004-06-23

[8]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[9]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金廷烈 ;

崔基寿 .

中国专利 :CN103545289A ,2014-01-29

[10]

半导体器件制造方法和使用该半导体器件制造方法而制造的半导体器件 [P].

李准京 ;

金泰成 ;

李镐珍 ;

林东灿 ;

黄载元 .

韩国专利 :CN119028996A ,2024-11-26

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