半导体器件制造方法和使用该半导体器件制造方法而制造的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410436991.1

申请日：

2024-04-11

公开(公告)号：

CN119028996A

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

李准京金泰成李镐珍林东灿黄载元

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

孙尚白;范心田

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[2]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金廷烈 ;

崔基寿 .

中国专利 :CN103545289A ,2014-01-29

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

村川浩一 .

中国专利 :CN102315248A ,2012-01-11

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

上野和良 .

中国专利 :CN100334725C ,2004-02-18

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

伊藤贵之 .

中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

厚母敬生 .

中国专利 :CN101916759A ,2010-12-15

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1507012A ,2004-06-23

[8]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金辰寿 ;

林昌文 .

中国专利 :CN101414581A ,2009-04-22

[9]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

井上尚也 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103178048B ,2013-06-26

[10]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

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