半导体器件和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410016445.9

申请日：

2014-01-14

公开(公告)号：

CN104425295A

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

白野贵士东和幸渡边慎也右田达夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L2348

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

徐健;陈海红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-18	公开	公开
2015-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101605746979 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2014100164459 申请日:20140114
2017-09-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101758610355 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2014100164459 申请公布日:20150318

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

沼田英夫 ;

江泽弘和 ;

田窪知章 ;

高桥健司 ;

青木秀夫 ;

原田享 ;

金子尚史 ;

池上浩 ;

松尾美惠 ;

大村一郎 .

中国专利 :CN1758430A ,2006-04-12

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

馆下八州志 .

中国专利 :CN101304028A ,2008-11-12

[3]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

聂碧颖 ;

储金星 ;

何濠启 ;

史世平 .

中国专利 :CN118692912A ,2024-09-24

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

富士原明 .

中国专利 :CN101901798B ,2010-12-01

[5]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

聂碧颖 ;

储金星 ;

何濠启 ;

史世平 .

中国专利 :CN118692912B ,2025-01-24

[6]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金辰寿 ;

林昌文 .

中国专利 :CN101414581A ,2009-04-22

[7]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

朴辰哲 .

中国专利 :CN103633126A ,2014-03-12

[8]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

小田典明 .

中国专利 :CN101937902A ,2011-01-05

[9]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

李东烈 .

中国专利 :CN103633041A ,2014-03-12

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

福井自由 ;

高桥贵树 ;

出口香奈子 ;

那须贤太郎 .

中国专利 :CN113424311A ,2021-09-21

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