半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410089959.3

申请日：

2004-10-08

公开(公告)号：

CN1316594C

公开(公告)日：

2005-04-13

发明(设计)人：

大村光广片野真希子伊藤彰子松下贵哉金子尚史

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213065 H01L21306 H01L2100

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-04-13	公开	公开
2007-05-16	授权	授权
2011-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101028890853 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2004100899593 申请日:20041008 授权公告日:20070516 终止日期:20091109
2005-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

平岩篤 ;

酒井哲 ;

石川大 ;

池田良广 .

中国专利 :CN1501455A ,2004-06-02

[2]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN104934407A ,2015-09-23

[3]

制造半导体器件的方法 [P].

川嶋祥之 ;

吉田省史 .

中国专利 :CN105489557A ,2016-04-13

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

小田典明 .

中国专利 :CN1200564A ,1998-12-02

[5]

用于制造半导体器件的方法 [P].

山本贤一 ;

盛一正成 ;

岛根誉 ;

斉藤和美 ;

富盛浩昭 ;

伊藤孝政 ;

牛岛浩斉 ;

立山克郎 .

中国专利 :CN100442473C ,2006-09-27

[6]

半导体器件的制造方法、半导体晶片及半导体器件 [P].

大冢敏志 .

中国专利 :CN1701418A ,2005-11-23

[7]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

[8]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN103000589A ,2013-03-27

[9]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A.鲍尔 ;

R.黑斯 ;

G.莱希克 ;

F.马里亚尼 .

中国专利 :CN104465513A ,2015-03-25

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

佐藤嘉昭 ;

椀泽光伸 ;

松本明 ;

出口善宣 ;

齐藤健太郎 .

日本专利 :CN113314428B ,2025-12-09

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