半导体器件和用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410463296.0

申请日：

2014-09-12

公开(公告)号：

CN104465513A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

A.鲍尔 R.黑斯 G.莱希克 F.马里亚尼

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L2178

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;胡莉莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607356304 IPC(主分类):H01L 21/78 专利申请号:2014104632960 申请日:20140912
2018-03-02	授权	授权
2015-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

大野荣治 ;

大杉英司 .

中国专利 :CN103295923A ,2013-09-11

[2]

半导体晶片、半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

田中浩治 ;

矶崎诚也 .

中国专利 :CN101546736A ,2009-09-30

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

有田洁 .

中国专利 :CN101044613A ,2007-09-26

[4]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造设备 [P].

田久真也 ;

佐藤二尚 .

中国专利 :CN1269192C ,2004-09-01

[5]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

[6]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

本间博 ;

小田岛均 ;

宫崎忠一 ;

和田隆 ;

大录范行 ;

三田彻 .

中国专利 :CN100334706C ,2005-06-22

[7]

半导体器件、半导体晶片、半导体组件及半导体器件的制造方法 [P].

荻野雅彦 ;

上野巧 ;

江口州志 ;

永井晃 ;

佐藤俊也 ;

石井利昭 ;

小角博义 ;

濑川正则 ;

露野円丈 ;

西村朝雄 ;

安生一郎 .

中国专利 :CN100487888C ,2000-07-19

[8]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

约阿希姆·雷尔 ;

弗兰克·辛格 ;

诺温·文马尔姆 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 .

中国专利 :CN105103314A ,2015-11-25

[9]

用于制造半导体器件的装置和半导体器件的制造方法 [P].

成正模 ;

宣钟宇 ;

韩济愚 ;

朴赞训 ;

宋承润 ;

明涩荷 .

中国专利 :CN111128666A ,2020-05-08

[10]

用于制造半导体器件的装置和半导体器件的制造方法 [P].

成正模 ;

宣钟宇 ;

韩济愚 ;

朴赞训 ;

宋承润 ;

明涩荷 .

韩国专利 :CN111128666B ,2024-12-13

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