用于制造半导体器件的装置和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910825086.4

申请日：

2019-08-30

公开(公告)号：

CN111128666A

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

成正模宣钟宇韩济愚朴赞训宋承润明涩荷

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

杨姗

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20190830
2020-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

用于制造半导体器件的装置和半导体器件的制造方法 [P].

成正模 ;

宣钟宇 ;

韩济愚 ;

朴赞训 ;

宋承润 ;

明涩荷 .

韩国专利 :CN111128666B ,2024-12-13

[2]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A.鲍尔 ;

R.黑斯 ;

G.莱希克 ;

F.马里亚尼 .

中国专利 :CN104465513A ,2015-03-25

[3]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

大野荣治 ;

大杉英司 .

中国专利 :CN103295923A ,2013-09-11

[4]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造设备 [P].

田久真也 ;

佐藤二尚 .

中国专利 :CN1269192C ,2004-09-01

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件的制造设备 [P].

高木干夫 .

中国专利 :CN1154571A ,1997-07-16

[6]

半导体晶片、半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

田中浩治 ;

矶崎诚也 .

中国专利 :CN101546736A ,2009-09-30

[7]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

[8]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

阿部由之 ;

宫崎忠一 ;

武藤英生 ;

东野朋子 .

中国专利 :CN101297394A ,2008-10-29

[9]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

古川胜悦 ;

中山悟 ;

镰田省吾 ;

清藤繁光 .

中国专利 :CN102130049A ,2011-07-20

[10]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

本间博 ;

小田岛均 ;

宫崎忠一 ;

和田隆 ;

大录范行 ;

三田彻 .

中国专利 :CN100334706C ,2005-06-22

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