制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310082571.X

申请日：

2013-03-01

公开(公告)号：

CN103295923A

公开(公告)日：

2013-09-11

发明(设计)人：

大野荣治大杉英司

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;张宁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-11	公开	公开
2015-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601545484 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:201310082571X 申请日:20130301
2018-01-09	授权	授权
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722416983 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:201310082571X 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2020-03-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/56 申请日:20130301 授权公告日:20180109 终止日期:20190301

共 50 条

[1]

半导体晶片、半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

田中浩治 ;

矶崎诚也 .

中国专利 :CN101546736A ,2009-09-30

[2]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A.鲍尔 ;

R.黑斯 ;

G.莱希克 ;

F.马里亚尼 .

中国专利 :CN104465513A ,2015-03-25

[3]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造设备 [P].

田久真也 ;

佐藤二尚 .

中国专利 :CN1269192C ,2004-09-01

[4]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

[5]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

本间博 ;

小田岛均 ;

宫崎忠一 ;

和田隆 ;

大录范行 ;

三田彻 .

中国专利 :CN100334706C ,2005-06-22

[6]

半导体器件、半导体晶片、半导体组件及半导体器件的制造方法 [P].

荻野雅彦 ;

上野巧 ;

江口州志 ;

永井晃 ;

佐藤俊也 ;

石井利昭 ;

小角博义 ;

濑川正则 ;

露野円丈 ;

西村朝雄 ;

安生一郎 .

中国专利 :CN100487888C ,2000-07-19

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

波多野正喜 ;

高冈裕二 .

中国专利 :CN1835229A ,2006-09-20

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件的制造设备 [P].

高木干夫 .

中国专利 :CN1154571A ,1997-07-16

[9]

半导体晶片、半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

榎原淳 .

中国专利 :CN101030573A ,2007-09-05

[10]

半导体器件的制造方法、半导体晶片及半导体器件 [P].

大冢敏志 .

中国专利 :CN1701418A ,2005-11-23

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