半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310103000.6

申请日：

2003-10-31

公开(公告)号：

CN1501455A

公开(公告)日：

2004-06-02

发明(设计)人：

平岩篤酒井哲石川大池田良广

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21314

IPC分类号：

H01L213105 H01L21283 H01L21336 H01L218234

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-02	公开	公开
2010-07-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101003406712 IPC(主分类):H01L 21/314 专利申请号:2003101030006 公开日:20040602
2005-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

大村光广 ;

片野真希子 ;

伊藤彰子 ;

松下贵哉 ;

金子尚史 .

中国专利 :CN1316594C ,2005-04-13

[2]

半导体薄膜，半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1169026A ,1997-12-31

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

谷口泰弘 ;

志波和佳 .

中国专利 :CN101030556B ,2007-09-05

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

南方浩志 .

中国专利 :CN101252085A ,2008-08-27

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

长浜优 .

日本专利 :CN119403194A ,2025-02-07

[6]

制造半导体器件的方法 [P].

川嶋祥之 ;

吉田省史 .

中国专利 :CN105489557A ,2016-04-13

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

手塚祐朗 ;

鸟海聪志 ;

古野诚 ;

神保安弘 ;

大力浩二 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN101369541B ,2009-02-18

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

吉江彻 .

中国专利 :CN1532896A ,2004-09-29

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

米田健司 .

中国专利 :CN1617311A ,2005-05-18

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

绫野智贵 ;

丸山隆弘 .

日本专利 :CN120187051A ,2025-06-20

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