半导体器件的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810004926.2
申请日
2008-01-29
公开(公告)号
CN101252085A
公开(公告)日
2008-08-27
发明(设计)人
南方浩志
申请人
申请人地址
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号
H01L213105
IPC分类号
H01L21336 H01L2128
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人
张龙哺;冯志云
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体器件的制造方法 [P]. 
平岩篤 ;
酒井哲 ;
石川大 ;
池田良广 .
中国专利 :CN1501455A ,2004-06-02
[2]
制造半导体器件的方法 [P]. 
长浜优 .
日本专利 :CN119403194A ,2025-02-07
[3]
半导体器件的制造方法 [P]. 
吉江彻 .
中国专利 :CN1532896A ,2004-09-29
[4]
半导体器件的制造方法 [P]. 
米田健司 .
中国专利 :CN1617311A ,2005-05-18
[5]
制造半导体器件的方法 [P]. 
绫野智贵 ;
丸山隆弘 .
日本专利 :CN120187051A ,2025-06-20
[6]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
松野光一 ;
盐泽顺一 .
中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14
[7]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
荣森贵尚 ;
三濑信行 .
中国专利 :CN101651120B ,2010-02-17
[8]
半导体器件及制造半导体器件的方法 [P]. 
阿部真一郎 .
中国专利 :CN108735759A ,2018-11-02
[9]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
斋藤友博 .
中国专利 :CN1499646A ,2004-05-26
[10]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
新井耕一 ;
滨正树 ;
笼利康明 ;
久田贤一 .
中国专利 :CN105280546B ,2016-01-27