半导体器件的制造方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510359350.1

申请日：

2015-06-25

公开(公告)号：

CN105280546B

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

新井耕一滨正树笼利康明久田贤一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

H01L2131 H01L2978

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101736958725 IPC(主分类):H01L 21/76 专利申请号:2015103593501 申请日:20150625
2020-09-11	授权	授权
2016-01-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

荣森贵尚 ;

三濑信行 .

中国专利 :CN101651120B ,2010-02-17

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1499646A ,2004-05-26

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

谷口泰弘 ;

志波和佳 .

中国专利 :CN101030556B ,2007-09-05

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

任桐贤 ;

李气范 ;

金旲炫 ;

魏胄滢 ;

尹成美 .

韩国专利 :CN112117322B ,2024-07-09

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

任桐贤 ;

李气范 ;

金旲炫 ;

魏胄滢 ;

尹成美 .

中国专利 :CN112117322A ,2020-12-22

[8]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

阿部真一郎 .

中国专利 :CN108735759A ,2018-11-02

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

志波和佳 .

中国专利 :CN1943037A ,2007-04-04

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

长谷川和彦 .

中国专利 :CN102867739A ,2013-01-09

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