半导体器件及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810374912.3

申请日：

2018-04-24

公开(公告)号：

CN108735759A

公开(公告)日：

2018-11-02

发明(设计)人：

阿部真一郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2711563

IPC分类号：

H01L2711568

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-02	公开	公开
2020-05-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11563 申请日:20180424

共 50 条

[1]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

加藤芳健 .

中国专利 :CN106663634B ,2017-05-10

[2]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

饭塚敏洋 ;

小山晋 ;

加藤芳健 .

中国专利 :CN106233437A ,2016-12-14

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

林重德 ;

山本和彦 .

中国专利 :CN1841675A ,2006-10-04

[4]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

新宫昌生 ;

菊地祥子 ;

高岛章 ;

井野恒洋 ;

村冈浩一 .

中国专利 :CN101546783B ,2009-09-30

[5]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

荣森贵尚 ;

三濑信行 .

中国专利 :CN101651120B ,2010-02-17

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

津田是文 .

中国专利 :CN112736089A ,2021-04-30

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

宫本广信 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

壶井笃司 .

中国专利 :CN108933177A ,2018-12-04

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1499646A ,2004-05-26

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