半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910130660.0

申请日：

2009-03-27

公开(公告)号：

CN101546783B

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

新宫昌生菊地祥子高岛章井野恒洋村冈浩一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L29792 H01L21336 H01L27115

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

申发振

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-30	公开	公开
2009-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-26	授权	授权
2015-05-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101609891203 IPC(主分类):H01L 29/788 专利号:ZL2009101306600 申请日:20090327 授权公告日:20110126 终止日期:20140327

共 50 条

[1]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

千大焕 ;

郑永均 ;

周洛龙 ;

朴正熙 ;

李钟锡 .

中国专利 :CN107958936A ,2018-04-24

[2]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

砂村润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103904109A ,2014-07-02

[3]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

阿部真一郎 .

中国专利 :CN108735759A ,2018-11-02

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

井上隆 ;

竹胁利至 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN104681617B ,2015-06-03

[5]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

津田是文 .

中国专利 :CN112736089A ,2021-04-30

[6]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

幸康一郎 ;

斋藤彻 ;

久保实 ;

大仲清司 ;

浅井明 ;

片山幸治 .

中国专利 :CN1260595A ,2000-07-19

[7]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

鸣海俊一 .

中国专利 :CN108336089A ,2018-07-27

[9]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

山内尚 ;

西义史 ;

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 ;

加藤弘一 .

中国专利 :CN101330055A ,2008-12-24

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN102456742A ,2012-05-16

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