半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310741171.5

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN103904109A

公开(公告)日：

2014-07-02

发明(设计)人：

金子贵昭砂村润林喜宏

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2949

IPC分类号：

H01L29772 H01L2128 H01L21335

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

韩峰;孙志湧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-09	授权	授权
2021-12-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/49 申请日:20131227 授权公告日:20181109 终止日期:20201227
2016-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101643922406 IPC(主分类):H01L 29/49 专利申请号:2013107411715 申请日:20131227
2014-07-02	公开	公开
2015-11-18	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723609413 IPC(主分类):H01L 29/49 专利申请号:2013107411715 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京

共 50 条

[1]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[2]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN102456742A ,2012-05-16

[3]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

宫本广信 ;

冈本康宏 ;

川口宏 ;

中山达峰 .

中国专利 :CN107275397A ,2017-10-20

[4]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

千大焕 ;

郑永均 ;

周洛龙 ;

朴正熙 ;

李钟锡 .

中国专利 :CN107958936A ,2018-04-24

[5]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

新宫昌生 ;

菊地祥子 ;

高岛章 ;

井野恒洋 ;

村冈浩一 .

中国专利 :CN101546783B ,2009-09-30

[6]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

井上隆 ;

竹胁利至 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN104681617B ,2015-06-03

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

津田是文 .

中国专利 :CN112736089A ,2021-04-30

[9]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

幸康一郎 ;

斋藤彻 ;

久保实 ;

大仲清司 ;

浅井明 ;

片山幸治 .

中国专利 :CN1260595A ,2000-07-19

[10]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

山内尚 ;

西义史 ;

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 ;

加藤弘一 .

中国专利 :CN101330055A ,2008-12-24

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