半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610121689.9

申请日：

2006-08-28

公开(公告)号：

CN100490118C

公开(公告)日：

2007-03-07

发明(设计)人：

河浪孝二田渕清隆

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21321

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-10-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101587687932 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2006101216899 申请日:20060828 授权公告日:20090520 终止日期:20130828
2009-05-20	授权	授权
2007-03-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

小田典明 .

中国专利 :CN1200564A ,1998-12-02

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

田村友子 ;

荻田香 ;

大力浩二 ;

丸山纯矢 .

中国专利 :CN1873915A ,2006-12-06

[3]

用于制造半导体器件的方法 [P].

山本贤一 ;

盛一正成 ;

岛根誉 ;

斉藤和美 ;

富盛浩昭 ;

伊藤孝政 ;

牛岛浩斉 ;

立山克郎 .

中国专利 :CN100442473C ,2006-09-27

[4]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置 [P].

浅子龙一 ;

白石豪介 ;

田原慈 .

中国专利 :CN101728320A ,2010-06-09

[5]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

横山孝司 ;

宇佐美达矢 .

中国专利 :CN1245350A ,2000-02-23

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

大村光广 ;

片野真希子 ;

伊藤彰子 ;

松下贵哉 ;

金子尚史 .

中国专利 :CN1316594C ,2005-04-13

[7]

制造半导体器件的方法 [P].

张荣根 ;

金相德 .

中国专利 :CN100403515C ,2006-10-04

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

南方浩志 .

中国专利 :CN101252085A ,2008-08-27

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

手塚祐朗 ;

鸟海聪志 ;

古野诚 ;

神保安弘 ;

大力浩二 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN101369541B ,2009-02-18

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

二濑卓也 .

中国专利 :CN101325176A ,2008-12-17

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