半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610088627.2

申请日：

2006-05-31

公开(公告)号：

CN1873915A

公开(公告)日：

2006-12-06

发明(设计)人：

田村友子荻田香大力浩二丸山纯矢

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2184

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;梁永

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-12-06	公开	公开
2010-01-27	授权	授权
2019-05-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20060531 授权公告日:20100127 终止日期:20180531
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

坂田敦子 ;

和田纯一 ;

尾本诚一 ;

羽多野正亮 ;

山下创一 ;

东和幸 ;

中村直文 ;

山田雅基 ;

木下和哉 ;

坚田富夫 ;

莲沼正彦 .

中国专利 :CN101350340B ,2009-01-21

[2]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

坂田敦子 ;

和田纯一 ;

尾本诚一 ;

羽多野正亮 ;

山下创一 ;

东和幸 ;

中村直文 ;

山田雅基 ;

木下和哉 ;

坚田富夫 ;

莲沼正彦 .

中国专利 :CN1848407A ,2006-10-18

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

林重德 ;

山本和彦 .

中国专利 :CN1841675A ,2006-10-04

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

林重德 ;

山本和彦 .

中国专利 :CN100401478C ,2004-08-18

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

楠本直人 ;

寺本聪 .

中国专利 :CN1123463A ,1996-05-29

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

河浪孝二 ;

田渕清隆 .

中国专利 :CN100490118C ,2007-03-07

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

古野诚 .

中国专利 :CN101409236A ,2009-04-15

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

楠本直人 ;

寺本聪 .

中国专利 :CN1619771A ,2005-05-25

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

小田典明 .

中国专利 :CN1200564A ,1998-12-02

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 .

中国专利 :CN1148269A ,1997-04-23

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