半导体器件的制造方法以及半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN200810125628.9
申请日
2006-01-23
公开(公告)号
CN101350340B
公开(公告)日
2009-01-21
发明(设计)人
坂田敦子 和田纯一 尾本诚一 羽多野正亮 山下创一 东和幸 中村直文 山田雅基 木下和哉 坚田富夫 莲沼正彦
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L23532
IPC分类号
H01L21768 H01L21316 H01L21285
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
段承恩;杨光军
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P]. 
坂田敦子 ;
和田纯一 ;
尾本诚一 ;
羽多野正亮 ;
山下创一 ;
东和幸 ;
中村直文 ;
山田雅基 ;
木下和哉 ;
坚田富夫 ;
莲沼正彦 .
中国专利 :CN1848407A ,2006-10-18
[2]
半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P]. 
木城耕一 .
中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15
[3]
半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P]. 
大西泰彦 .
中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24
[4]
半导体器件的制造方法 [P]. 
林重德 ;
山本和彦 .
中国专利 :CN1841675A ,2006-10-04
[5]
半导体器件的制造方法 [P]. 
田村友子 ;
荻田香 ;
大力浩二 ;
丸山纯矢 .
中国专利 :CN1873915A ,2006-12-06
[6]
半导体器件的制造方法 [P]. 
林重德 ;
山本和彦 .
中国专利 :CN100401478C ,2004-08-18
[7]
半导体器件制造方法以及半导体器件 [P]. 
古谷晃 .
中国专利 :CN102683270A ,2012-09-19
[8]
半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P]. 
井上隆 ;
中山达峰 ;
冈本康宏 ;
川口宏 ;
竹胁利至 ;
名仓延宏 ;
永井隆行 ;
三浦喜直 ;
宫本广信 .
中国专利 :CN104218079A ,2014-12-17
[9]
半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P]. 
井上隆 ;
竹胁利至 ;
中山达峰 ;
冈本康宏 ;
宫本广信 .
中国专利 :CN104681617B ,2015-06-03
[10]
半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
津田是文 .
中国专利 :CN112736089A ,2021-04-30