半导体器件的制造方法以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610073921.6

申请日：

2006-01-23

公开(公告)号：

CN1848407A

公开(公告)日：

2006-10-18

发明(设计)人：

坂田敦子和田纯一尾本诚一羽多野正亮山下创一东和幸中村直文山田雅基木下和哉坚田富夫莲沼正彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2128 H01L213205

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥;杨光军

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-08	授权	授权
2022-01-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 登记生效日:20220105 变更事项:专利权人变更前权利人:东芝存储器株式会社变更后权利人:日商潘杰亚股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2006-10-18	公开	公开
2022-01-14	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更事项:专利权人变更前:东芝存储器株式会社变更后:铠侠股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都
2006-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-01-14	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更事项:专利权人变更前:日商潘杰亚股份有限公司变更后:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都
2017-08-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101757963843 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2006100739216 登记生效日:20170808 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

坂田敦子 ;

和田纯一 ;

尾本诚一 ;

羽多野正亮 ;

山下创一 ;

东和幸 ;

中村直文 ;

山田雅基 ;

木下和哉 ;

坚田富夫 ;

莲沼正彦 .

中国专利 :CN101350340B ,2009-01-21

[2]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[3]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

林重德 ;

山本和彦 .

中国专利 :CN1841675A ,2006-10-04

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

田村友子 ;

荻田香 ;

大力浩二 ;

丸山纯矢 .

中国专利 :CN1873915A ,2006-12-06

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

林重德 ;

山本和彦 .

中国专利 :CN100401478C ,2004-08-18

[7]

半导体器件制造方法以及半导体器件 [P].

古谷晃 .

中国专利 :CN102683270A ,2012-09-19

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

井上隆 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

川口宏 ;

竹胁利至 ;

名仓延宏 ;

永井隆行 ;

三浦喜直 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN104218079A ,2014-12-17

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

井上隆 ;

竹胁利至 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN104681617B ,2015-06-03

[10]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

津田是文 .

中国专利 :CN112736089A ,2021-04-30

← 1 2 3 4 5 →