半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810145697.6

申请日：

2008-08-11

公开(公告)号：

CN101409236A

公开(公告)日：

2009-04-15

发明(设计)人：

山崎舜平古野诚

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

侯颖媖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-11	授权	授权
2020-07-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20080811 授权公告日:20120711 终止日期:20190811
2009-04-15	公开	公开
2010-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005018217 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2008101456976 申请日:20080811

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

手塚祐朗 ;

鸟海聪志 ;

古野诚 ;

神保安弘 ;

大力浩二 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN101369541B ,2009-02-18

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

古野诚 .

中国专利 :CN101369604A ,2009-02-18

[4]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[5]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[6]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[7]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[8]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

井口总一郎 .

中国专利 :CN103367448A ,2013-10-23

[9]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

寺本章伸 ;

神林宏 ;

上田博一 ;

两角友一朗 ;

原田豪繁 ;

长谷部一秀 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN103339733A ,2013-10-02

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

矶部敦生 ;

山口哲司 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN1725513A ,2006-01-25

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