半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810213215.6

申请日：

2008-08-15

公开(公告)号：

CN101369604A

公开(公告)日：

2009-02-18

发明(设计)人：

山崎舜平古野诚

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2912 H01L2906 H01L21336 H01L21205

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

侯颖媖

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20080815 授权公告日:20121205 终止日期:20190815
2010-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006018082 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2008102132156 申请日:20080815
2009-02-18	公开	公开
2012-12-05	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

牧田直树 .

中国专利 :CN1510762A ,2004-07-07

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

坂仓真之 ;

及川欣聪 ;

冈崎健一 ;

丸山穗高 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN104934447B ,2015-09-23

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

坂仓真之 ;

及川欣聪 ;

冈崎健一 ;

丸山穗高 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN101997036A ,2011-03-30

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

古野诚 .

中国专利 :CN101409236A ,2009-04-15

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

乡户宏充 .

中国专利 :CN101034719A ,2007-09-12

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

牧田直树 .

中国专利 :CN101663758B ,2010-03-03

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

平濑顺司 .

中国专利 :CN101652854A ,2010-02-17

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

筱原聪始 .

中国专利 :CN106960880A ,2017-07-18

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN107221562B ,2017-09-29

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫人秀和 .

中国专利 :CN105849875B ,2016-08-10

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