半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480070814.0

申请日：

2014-12-22

公开(公告)号：

CN105849875B

公开(公告)日：

2016-08-10

发明(设计)人：

宫人秀和

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2949

IPC分类号：

H01L29786 H01L2712 H01L2134

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101697430000 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014800708140 申请日:20141222
2020-03-06	授权	授权
2016-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

冈崎健一 ;

保坂泰靖 ;

池山辉正 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN103187262B ,2013-07-03

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

冈崎健一 ;

保坂泰靖 ;

池山辉正 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107452751B ,2017-12-08

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

岛行德 ;

德永肇 ;

佐佐木俊成 ;

村山佳右 ;

松林大介 .

中国专利 :CN103779423A ,2014-05-07

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

岛行德 ;

德永肇 ;

佐佐木俊成 ;

村山佳右 ;

松林大介 .

中国专利 :CN108649066A ,2018-10-12

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

坂仓真之 ;

及川欣聪 ;

冈崎健一 ;

丸山穗高 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN104934447B ,2015-09-23

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

矶部敦生 .

中国专利 :CN104247030A ,2014-12-24

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

坂仓真之 ;

及川欣聪 ;

冈崎健一 ;

丸山穗高 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN101997036A ,2011-03-30

[8]

半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN106653832A ,2017-05-10

[9]

半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102593185A ,2012-07-18

[10]

半导体装置、半导体装置的制造方法以及显示装置 [P].

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

佐藤贵洋 ;

坂本直哉 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN105793995A ,2016-07-20

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