半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380020870.9

申请日：

2013-04-12

公开(公告)号：

CN104247030A

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

矶部敦生

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

C23C1434 H01L21336 H01L218242 H01L218247 H01L2710 H01L27108 H01L27115 H01L29788 H01L29792

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

叶晓勇;汤春龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101610184620 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2013800208709 申请日:20130412
2014-12-24	公开	公开
2017-06-09	授权	授权
2022-04-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20130412 授权公告日:20170609 终止日期:20210412

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫人秀和 .

中国专利 :CN105849875B ,2016-08-10

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

冈崎健一 ;

保坂泰靖 ;

池山辉正 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN103187262B ,2013-07-03

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

冈崎健一 ;

保坂泰靖 ;

池山辉正 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107452751B ,2017-12-08

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

岛行德 ;

德永肇 ;

佐佐木俊成 ;

村山佳右 ;

松林大介 .

中国专利 :CN103779423A ,2014-05-07

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

岛行德 ;

德永肇 ;

佐佐木俊成 ;

村山佳右 ;

松林大介 .

中国专利 :CN108649066A ,2018-10-12

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

坂仓真之 ;

及川欣聪 ;

冈崎健一 ;

丸山穗高 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN104934447B ,2015-09-23

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

坂田淳一郎 ;

岸田英幸 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101847661A ,2010-09-29

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

金辅淳 ;

金炫知 ;

李正允 ;

朴起宽 ;

朴商德 ;

吴怜默 ;

李庸硕 .

中国专利 :CN106960870A ,2017-07-18

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

坂仓真之 ;

及川欣聪 ;

冈崎健一 ;

丸山穗高 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN101997036A ,2011-03-30

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

筱原聪始 .

中国专利 :CN106960880A ,2017-07-18

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