半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610997289.8

申请日：

2012-01-11

公开(公告)号：

CN106653832A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

金红莲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724420576 IPC(主分类):H01L 29/417 专利申请号:2016109972898 申请日:20120111
2017-05-10	公开	公开
2020-11-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102593185A ,2012-07-18

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN107275411A ,2017-10-20

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

早川昌彦 ;

本田达也 .

中国专利 :CN107403808A ,2017-11-28

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

栃林克明 ;

日向野聪 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN103065969A ,2013-04-24

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

早川昌彦 ;

本田达也 .

中国专利 :CN103066112B ,2013-04-24

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN103035735B ,2013-04-10

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

栃林克明 ;

日向野聪 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107507805B ,2017-12-22

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫人秀和 .

中国专利 :CN105849875B ,2016-08-10

[9]

半导体装置的制造方法 [P].

佐藤裕平 ;

佐藤惠司 ;

佐佐木俊成 ;

丸山哲纪 ;

矶部敦生 ;

村川努 ;

手塚祐朗 .

中国专利 :CN102738002A ,2012-10-17

[10]

半导体装置的制造方法 [P].

野田耕生 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN102376583A ,2012-03-14

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