半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210098750.8

申请日：

2012-04-06

公开(公告)号：

CN102738002A

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

佐藤裕平佐藤惠司佐佐木俊成丸山哲纪矶部敦生村川努手塚祐朗

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21324

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

刘倜

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20120406 授权公告日:20170531 终止日期:20210406
2017-05-31	授权	授权
2012-10-17	公开	公开
2014-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581406307 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012100987508 申请日:20120406

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法 [P].

佐藤裕平 ;

佐藤惠司 ;

佐佐木俊成 ;

丸山哲纪 ;

矶部敦生 ;

村川努 ;

手塚祐朗 .

中国专利 :CN107424927B ,2017-12-01

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN107275411A ,2017-10-20

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

早川昌彦 ;

本田达也 .

中国专利 :CN107403808A ,2017-11-28

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

栃林克明 ;

日向野聪 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN103065969A ,2013-04-24

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

早川昌彦 ;

本田达也 .

中国专利 :CN103066112B ,2013-04-24

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN103035735B ,2013-04-10

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

栃林克明 ;

日向野聪 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107507805B ,2017-12-22

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

岛行德 ;

德永肇 ;

佐佐木俊成 ;

村山佳右 ;

松林大介 .

中国专利 :CN103779423A ,2014-05-07

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

岛行德 ;

德永肇 ;

佐佐木俊成 ;

村山佳右 ;

松林大介 .

中国专利 :CN108649066A ,2018-10-12

[10]

半导体装置的制造方法 [P].

野田耕生 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN102376583A ,2012-03-14

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