半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN99118702.4
申请日
1999-09-08
公开(公告)号
CN1134835C
公开(公告)日
2000-03-15
发明(设计)人
冈田纪雄
申请人
申请人地址
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号
H01L2176
IPC分类号
H01L2131 H01L2352 H01L21768 H01L2128
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
邹光新;叶恺东
法律状态
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
大芦敏行 ;
新川田裕树 .
中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
佐次田直也 .
中国专利 :CN101313401B ,2008-11-26
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
日野美德 ;
武石直英 ;
谷口敏光 .
中国专利 :CN1258817C ,2002-09-25
[4]
半导体器件的制造方法 [P]. 
小田典明 .
中国专利 :CN1200564A ,1998-12-02
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
满生彰 .
中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
木村广嗣 ;
西村正 ;
鹤田孝弘 ;
有本和民 ;
山形整人 ;
藤岛一康 .
中国专利 :CN1053296C ,1996-10-09
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
佐甲隆 ;
户田麻美 .
中国专利 :CN101132004B ,2008-02-27
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
森井胜巳 ;
大津良孝 ;
大西一真 ;
新田哲也 ;
城本龙也 ;
德光成太 .
中国专利 :CN102157431A ,2011-08-17
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山下朋弘 .
中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
饭沼俊彦 .
中国专利 :CN1472820A ,2004-02-04