半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02106880.1

申请日：

2002-02-16

公开(公告)号：

CN1258817C

公开(公告)日：

2002-09-25

发明(设计)人：

日野美德武石直英谷口敏光

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L2978 H01L21768 H01L21336 H01L2160

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王勇;叶恺东

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-06-07	授权	授权
2020-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/528 申请日:20020216 授权公告日:20060607 终止日期:20190216
2002-09-25	公开	公开
2003-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

金廷澔 .

中国专利 :CN101431027A ,2009-05-13

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

饭沼俊彦 .

中国专利 :CN1472820A ,2004-02-04

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

大芦敏行 ;

新川田裕树 .

中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

小泽良夫 ;

田中正幸 ;

宫野清孝 ;

斋田繁彦 .

中国专利 :CN1211864C ,2003-07-23

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐次田直也 .

中国专利 :CN101313401B ,2008-11-26

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

冈田纪雄 .

中国专利 :CN1134835C ,2000-03-15

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

小山润 ;

大力浩二 ;

冈崎奖 ;

守屋芳隆 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN100573881C ,2006-09-13

← 1 2 3 4 5 →