高电压半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810175824.7

申请日：

2008-11-04

公开(公告)号：

CN101431027A

公开(公告)日：

2009-05-13

发明(设计)人：

金廷澔

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L218234 H01L2978 H01L2704

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

李丙林;张英

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101592566342 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2008101758247 申请日:20081104 授权公告日:20100922 终止日期:20131104
2009-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-05-13	公开	公开
2010-09-22	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

日野美德 ;

武石直英 ;

谷口敏光 .

中国专利 :CN1258817C ,2002-09-25

[2]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

张德基 .

中国专利 :CN101308874A ,2008-11-19

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

北岛裕一郎 .

中国专利 :CN101521232A ,2009-09-02

[4]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

朴淳烈 ;

金伦亨 ;

柳惟信 .

韩国专利 :CN110581168B ,2024-01-23

[5]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

朴淳烈 ;

金伦亨 ;

柳惟信 .

中国专利 :CN110581168A ,2019-12-17

[6]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

木村广嗣 ;

西村正 ;

鹤田孝弘 ;

有本和民 ;

山形整人 ;

藤岛一康 .

中国专利 :CN1053296C ,1996-10-09

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

奥村喜纪 ;

上野修一 ;

古田阳雄 .

中国专利 :CN1251316C ,2004-06-02

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