高电压半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910114415.4

申请日：

2019-02-14

公开(公告)号：

CN110581168A

公开(公告)日：

2019-12-17

发明(设计)人：

朴淳烈金伦亨柳惟信

申请人：

申请人地址：

韩国忠清北道

IPC主分类号：

H01L2910

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

许伟群;郭放

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-17	公开	公开
2020-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/10 申请日:20190214

共 50 条

[1]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

朴淳烈 ;

金伦亨 ;

柳惟信 .

韩国专利 :CN110581168B ,2024-01-23

[2]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

张德基 .

中国专利 :CN101308874A ,2008-11-19

[3]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

金廷澔 .

中国专利 :CN101431027A ,2009-05-13

[4]

高电压半导体器件及其制备方法 [P].

马丁·克奈普 .

中国专利 :CN105765730A ,2016-07-13

[5]

高电压半导体器件 [P].

费利克斯·西蒙·温特雷尔 ;

克里斯蒂安·希佩尔 ;

迪尔克·普列费特 ;

安德烈·西德尔尼科夫 .

:CN119181715A ,2024-12-24

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相燮 .

中国专利 :CN101471266A ,2009-07-01

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

丁明镇 .

中国专利 :CN1822393A ,2006-08-23

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐久间崇 .

中国专利 :CN101256981B ,2008-09-03

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

北岛裕一郎 .

中国专利 :CN101521232A ,2009-09-02

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

金知泓 ;

张德基 ;

张炳琸 ;

朴盛羲 .

中国专利 :CN101335298A ,2008-12-31

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