高电压半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480060275.2

申请日：

2014-11-04

公开(公告)号：

CN105765730A

公开(公告)日：

2016-07-13

发明(设计)人：

马丁·克奈普

申请人：

申请人地址：

奥地利乌恩特普雷姆斯塔特恩

IPC主分类号：

H01L29808

IPC分类号：

H01L2910 H01L2906 H01L2908 H01L2940

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

康建峰;吴琼

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-13	公开	公开
2019-05-31	授权	授权
2016-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101673497087 IPC(主分类):H01L 29/808 专利申请号:2014800602752 申请日:20141104

共 50 条

[1]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

张德基 .

中国专利 :CN101308874A ,2008-11-19

[2]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

金廷澔 .

中国专利 :CN101431027A ,2009-05-13

[3]

高电压半导体器件 [P].

费利克斯·西蒙·温特雷尔 ;

克里斯蒂安·希佩尔 ;

迪尔克·普列费特 ;

安德烈·西德尔尼科夫 .

:CN119181715A ,2024-12-24

[4]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

朴淳烈 ;

金伦亨 ;

柳惟信 .

中国专利 :CN110581168A ,2019-12-17

[5]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

朴淳烈 ;

金伦亨 ;

柳惟信 .

韩国专利 :CN110581168B ,2024-01-23

[6]

半导体器件及其制备方法 [P].

赵晓龙 ;

张拥华 ;

张青 .

中国专利 :CN119497413B ,2025-05-16

[7]

半导体器件及其制备方法 [P].

赵晓龙 ;

张拥华 ;

张青 .

中国专利 :CN118800805A ,2024-10-18

[8]

半导体器件及其制备方法 [P].

陈雪磊 ;

李晓明 ;

杨俊 .

中国专利 :CN107785312A ,2018-03-09

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

孙钱 ;

苏帅 ;

周宇 ;

高宏伟 ;

冯美鑫 ;

刘建勋 ;

詹晓宁 ;

杨辉 .

中国专利 :CN111916351A ,2020-11-10

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

李元 .

中国专利 :CN118352384A ,2024-07-16

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