半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580052132.8

申请日：

2005-11-25

公开(公告)号：

CN101313401B

公开(公告)日：

2008-11-26

发明(设计)人：

佐次田直也

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横浜市

IPC主分类号：

H01L218246

IPC分类号：

H01L27105

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张龙哺

法律状态：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-24	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都登记生效日:20081107 变更事项:地址
2021-11-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8246 申请日:20051125 授权公告日:20120509 终止日期:20201125
2012-05-09	授权	授权
2008-11-26	公开	公开
2009-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 ;

中村亘 .

中国专利 :CN101322241A ,2008-12-10

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101627470A ,2010-01-13

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101203953A ,2008-06-18

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 .

中国专利 :CN101199053B ,2008-06-11

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

大芦敏行 ;

新川田裕树 .

中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

新川田裕树 .

中国专利 :CN1292483C ,1998-11-25

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

冈田纪雄 .

中国专利 :CN1134835C ,2000-03-15

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

土手晓 ;

和泉宇俊 .

中国专利 :CN101246890A ,2008-08-20

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

日野美德 ;

武石直英 ;

谷口敏光 .

中国专利 :CN1258817C ,2002-09-25

← 1 2 3 4 5 →