半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580050171.4

申请日：

2005-06-17

公开(公告)号：

CN101203953A

公开(公告)日：

2008-06-18

发明(设计)人：

王文生

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L218239

IPC分类号：

H01L27105

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

张龙哺

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-04	授权	授权
2008-06-18	公开	公开
2008-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-08-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8239 登记生效日:20200807 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通半导体股份有限公司变更后权利人:富士通半导体存储方案股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县横浜市变更后权利人:日本神奈川县
2022-05-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8239 申请日:20050617 授权公告日:20120404 终止日期:20210617
2008-12-10	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本东京都登记生效日:20081107

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐次田直也 .

中国专利 :CN101313401B ,2008-11-26

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 ;

中村亘 .

中国专利 :CN101322241A ,2008-12-10

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[4]

半导体器件及其制造工艺 [P].

东野智彦 ;

胜木信幸 ;

川胜康弘 ;

小林道弘 .

中国专利 :CN101266973B ,2008-09-17

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

菅谷慎二 ;

桥本浩一 ;

鹰尾义弘 .

中国专利 :CN1734769A ,2006-02-15

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐甲隆 ;

户田麻美 .

中国专利 :CN101132004B ,2008-02-27

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

森井胜巳 ;

大津良孝 ;

大西一真 ;

新田哲也 ;

城本龙也 ;

德光成太 .

中国专利 :CN102157431A ,2011-08-17

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101627470A ,2010-01-13

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